近日，英特尔在芯片代工领域取得一项关键技术进展，其自主研发的EMIB（嵌入式多芯片互连桥）技术良率突破90%大关。这一数据由行业分析师基于最新研报披露，标志着该技术正式具备量产条件，为AI数据中心芯片的规模化生产铺平道路。作为2.5D先进封装领域的核心方案，EMIB通过在基板中嵌入硅桥实现多芯片高带宽互连，相比传统封装技术可降低功耗并缩减成本，被视为挑战台积电CoWoS技术的重要突破口。
技术层面，EMIB已形成两大差异化版本。面向能效优化的EMIB-M版本在硅桥中集成MIM电容器，通过抑制供电噪声提升电力完整性，其电力传输路径需绕过桥接结构；而针对高性能AI芯片设计的EMIB-T版本则创新性地引入TSV硅通孔技术，允许电力直接穿透桥接层，显著提升芯片扩展密度。当前量产的EMIB-T已支持超过8倍光罩尺寸的封装，可在120×120毫米的基板上集成12个HBM存储芯片、4个密集计算小芯片以及逾20个EMIB-T互连桥接。
据技术文档显示，EMIB的封装效率优势正在持续扩大。与倒装芯片球栅阵列（FCBGA）技术相比，EMIB在保持同等良率水平的同时，实现了更高的裸片互连密度。这种特性使其特别适用于需要海量数据交互的AI加速卡场景。英特尔公布的路线图显示，到2028年，EMIB-T技术将突破12倍光罩尺寸限制，在超过120×180毫米的超大封装中容纳24个以上HBM裸片及38个互连桥接，为下一代万亿参数级AI模型训练提供硬件支撑。
行业观察人士指出，随着AI算力需求呈指数级增长，先进封装技术已成为突破摩尔定律物理限制的关键路径。英特尔EMIB技术的成熟不仅将重塑高端芯片代工市场格局，其开放的生态合作模式更可能吸引更多无晶圆厂设计公司加入其技术阵营。当前，多家头部AI芯片企业已启动基于EMIB技术的产品验证流程，预计首批搭载该技术的数据中心芯片将于明年进入量产阶段。
