近日，台积电董事长魏哲家在股东大会上针对外界关于公司对下一代光刻设备投资态度的质疑作出回应。他明确表示，台积电已购入ASML最新研发的High-NA EUV光刻机，并正在积极推进相关技术研发工作，但基于成本效益的审慎评估，目前暂未将该设备投入量产阶段。
据介绍，ASML推出的这款High-NA EUV光刻机单价高达3.8亿至4亿美元，较现有主流EUV设备价格翻倍。魏哲家坦言，设备采购成本过高是制约量产进程的核心因素。他强调，台积电当前更注重现有EUV设备的深度利用，通过多重图案化技术组合，仍能满足先进制程对晶体管尺寸持续缩小的技术需求。
台积电于2024年9月完成首台High-NA EUV光刻机的接收工作，该设备被部署在研发中心用于下一代工艺的基础光刻技术开发。魏哲家指出，提前布局研发环节有助于确保未来量产时实现稳定的良品率和生产效率。这种"研发先行、量产后置"的策略，既符合半导体行业技术迭代规律，也延续了台积电一贯的成本管控原则。
面对英特尔等竞争对手已将High-NA EUV纳入量产规划的现状，魏哲家表示台积电不会盲目追赶时间表。他透露，公司正在等待两个关键条件成熟：一是单次曝光技术能够实现更精细的线宽控制，二是晶圆生产成本达到具有市场竞争力的水平。只有当这两个条件同时满足时，High-NA EUV才会正式进入生产体系。
业内分析认为，台积电的决策体现了其在技术领先与成本控制之间的平衡艺术。通过延长现有设备的使用周期，配合前瞻性的技术研发储备，既保持了技术迭代能力，又避免了过早投入高成本设备带来的财务压力。这种稳健的经营策略，或将继续巩固其在全球半导体代工领域的领先地位。
