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字节联合科研团队突破:让量子化学“金标准”走进真实材料世界

   时间:2025-11-10 16:41:57 来源:互联网编辑:快讯 IP:北京 发表评论无障碍通道
 

在材料科学与计算化学的交叉领域,科学家们长期面临一个核心矛盾:高精度算法受限于计算规模,而真实材料体系又迫切需要更精确的模拟手段。近期,一项突破性成果打破了这一僵局——字节跳动Seed AI for Science团队联合北京大学、伦敦大学国王学院的研究者,开发出名为SIE+CCSD(T)的量子嵌入框架,首次将量子化学的“金标准”方法拓展至包含数百原子、上万轨道的真实材料体系,相关论文发表于《自然·通讯》。

传统量子化学方法中,CCSD(T)算法因其能精确描述电子关联效应,被视为理论计算的“金标准”。然而,其计算复杂度随体系规模呈指数级增长,导致该方法仅能处理极小分子体系。例如,在研究催化反应或电池界面时,真实材料往往包含数百个原子,传统方法在此类体系中几乎无法运行。而密度泛函理论(DFT)虽计算效率较高,但其结果依赖泛函选择,难以系统提升精度。这种“精度与速度不可兼得”的困境,长期制约着材料设计的理论预测能力。

研究团队提出的SIE+CCSD(T)框架,通过“分而治之”的多分辨率策略解决了这一难题。该框架首先利用低精度方法对全体系进行初步计算,识别出关键区域;随后将系统分割为多个子区域,对核心区域采用CCSD(T)进行高精度计算,最终将结果整合至整体模型。这种设计不仅保留了“金标准”的精度优势,还通过动态筛选关键轨道与电子,大幅降低了计算量。实验表明,在包含392个碳原子、约1.1万个轨道的石墨烯体系中,SIE+CCSD(T)的计算效率接近线性扩展,体系规模翻倍时计算时间仅增加约一倍。

为验证方法的普适性,研究团队在多种真实材料体系中进行了测试。从固体氧化镁表面到多孔金属有机框架,再到二维石墨烯材料,SIE+CCSD(T)的计算结果与实验数据误差均控制在±1 kcal/mol以内,达到化学精度标准。更关键的是,该方法无需针对不同体系调整参数,而是通过统一策略实现了跨材料类型的稳定精度。例如,在氧化镁表面吸附一氧化碳的体系中,计算结果与实验值高度吻合;在金属有机框架材料中,该方法成功区分了不同吸附位点的能量差异,为催化剂设计提供了理论依据。

一个典型案例是水分子在石墨烯表面的吸附行为研究。此前,不同研究因模型规模限制得出矛盾结论:部分工作认为水分子“平躺”吸附更稳定,另一些则支持“垂直”取向。借助SIE+CCSD(T)的高效性,团队将体系扩展至数百原子级别,发现开放边界与周期性边界条件下的计算结果逐渐趋同,吸附能差异缩小至几meV量级。最终结果显示,不同取向下的吸附能几乎相同(约100 meV),表明水分子在石墨烯上不存在优先吸附构型。这一结论修正了此前小体系模拟的偏差,为石墨烯在海水淡化、蓝色能源等领域的应用提供了关键理论支撑。

技术实现层面,SIE+CCSD(T)的突破得益于全流程GPU优化。研究团队设计了针对量子化学计算的专用GPU内核,将电子积分、张量收缩等关键步骤映射至并行架构。例如,在1.1万个轨道的石墨烯体系中,单张A100 GPU即可在数小时内完成计算,而传统CPU集群需要数周时间。框架支持动态负载均衡,可根据子区域计算复杂度自动分配GPU资源,进一步提升了大规模体系的计算效率。

目前,研究团队已开源SIE+CCSD(T)的代码库,供全球科研人员使用。该方法不仅为催化设计、清洁能源材料开发提供了可信的理论工具,还为高精度计算与机器学习的结合开辟了新路径。例如,通过将SIE+CCSD(T)的计算结果作为训练数据,可构建更准确的机器学习势函数,从而在更大尺度上模拟材料行为。随着计算资源的不断升级,这一框架有望推动材料科学从“试错法”向“理论驱动设计”的范式转变。

 
 
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