当市场目光被AI高带宽内存（HBM）的火热行情吸引时，摩根士丹利最新发布的科技半导体行业报告，为寻求差异化投资机会的投资者指明了新方向。由分析师Daniel Yen与Charlie Chan牵头的研究团队，在针对大中华区市场的深度分析中指出，传统存储领域正迎来供需格局的重大转变，当前市场对这一领域的认知仍存在显著低估。
研究团队明确表示，传统存储的上升周期才刚刚启动。早在今年第二季度末，该机构就预判供应短缺将推动行业进入"超级周期"，这一判断现已得到验证——三季度末合约价格已呈现回升态势。从历史周期规律来看，纯粹的传统存储上行阶段通常持续3-4个季度，当前价格动能远未充分释放。对于近期市场波动中犹豫是否减仓的投资者，报告直接给出结论：现在退出为时尚早。
报告特别强调，市场对2026年的盈利预期过于保守。分析师指出，当前共识预测可能显著低估了行业增长潜力，随着供需紧张持续加剧，相关企业盈利水平有望出现实质性突破。这种判断基于对产业链的深度追踪：企业级需求爆发正在重塑市场结构，特别是DDR4领域已出现极端分化现象。
在DDR4市场，企业级采购需求激增导致价格谈判天平完全倾向供应商。最新数据显示，2026年一季度合约价格可能暴涨超100%，创下历史罕见涨幅。这种紧张局面在16Gb规格产品上尤为突出，渠道库存已接近枯竭状态。市场监测发现，该规格现货价格与权威平台报价出现严重背离——实际成交价高达100美元，而DRAMeXchange显示的基准价仅为45.5美元，这种价差折射出供需失衡的严重程度。
Flash产品领域同样出现连锁反应。受晶圆价值下降和后端封测成本上升双重挤压，NOR Flash供应商开始大规模调整产能配置。研究预测，2026年该产品供应缺口将从目前的低个位数百分比扩大至高个位数区间，直接推动价格在明年一季度上涨超20%。这种转变揭示出，在先进制程产品吸引市场焦点时，传统存储领域正通过结构性调整酝酿新的价格弹性。
值得注意的是，本轮行情与传统周期存在本质差异。企业级需求占比提升、供应链区域化重构、库存策略调整等多重因素叠加，使得价格波动幅度和持续时间都可能超出历史经验。对于投资者而言，这既意味着需要重新评估持仓结构，也预示着在主流赛道之外存在显著超额收益机会。当前市场对传统存储的认知偏差，恰恰构成了价值重估的空间。
