花旗最新研究报告显示，英伟达在AI推理领域推出的创新存储架构正引发NAND闪存市场连锁反应。该机构分析指出，英伟达开发的推理上下文内存存储（ICMS）技术将重构AI算力存储体系，预计在2026-2027年间为全球NAND市场创造千亿级需求增量，这一技术突破可能成为打破当前存储芯片供需平衡的关键变量。
据技术白皮书披露，ICMS架构通过在现有存储层级间新增专用缓存层，成功突破Transformer模型推理过程中的内存瓶颈。该方案在GPU高带宽内存（HBM）与本地SSD之间构建G3.5缓存层级，利用智能调度算法实现冷热数据的动态转换。实验数据显示，采用该架构的Vera Rubin平台可使每秒处理令牌数提升5倍，同时将能效比优化至同等水平，延迟指标亦获得显著改善。
硬件配置层面，英伟达选择16TB TLC SSD作为基础存储单元，单台服务器配置72块GPU对应1152TB NAND容量需求。花旗测算表明，当2026年Vera Rubin平台出货量达3万台时，将消耗相当于全球NAND产能2.8%的存储介质；至2027年出货量突破10万台时，这一比例将攀升至9.3%，对应需求量达1152亿8Gb当量。值得注意的是，该预测尚未包含其他厂商可能跟进的类似技术方案。
当前NAND市场已呈现结构性短缺特征。受数据中心建设加速和智能手机存储升级双重驱动，全球NAND产能利用率持续维持在95%以上。花旗分析师指出，ICMS架构带来的需求具有不可替代性，其大规模部署将直接冲击现有供应链体系。特别是三星电子、SK海力士等头部厂商的3D NAND产线，可能面临优先保障AI专用订单的压力。
技术演进方向上，AI推理场景的特殊需求正在重塑存储芯片发展路径。报告强调，未来NAND产品将向三维集成密度、随机读写速度和功耗效率三个维度同步突破。除ICMS架构外，行业正在探索内存计算融合、光子存储等前沿方案，这些创新可能催生新的万亿级市场空间。
产业链传导效应同样值得关注。ICMS架构的普及将带动SSD主控芯片、存储接口标准等相关领域的技术升级。花旗特别指出，具备定制化开发能力的存储模组厂商，以及掌握先进封装技术的上游企业，有望在这轮技术变革中获得超额收益。目前已有部分厂商启动专用存储设备的研发计划，预计2025年将形成完整的技术生态体系。
