特斯拉首席执行官埃隆·马斯克在公开场合透露，公司最新研发的AI5芯片已成功完成流片，并就后续自研芯片发展路径作出详细说明。据介绍，AI5芯片在算力表现上实现重大突破，单颗芯片有效算力达到双芯AI4方案的五倍水平，标志着特斯拉在人工智能计算领域的技术迭代进入新阶段。
关于下一代芯片的制造规划，马斯克披露AI6芯片将采用三星电子位于美国得克萨斯州泰勒市晶圆厂的2纳米制程工艺，在保持400平方毫米以上芯片面积的基础上，通过架构优化实现性能翻倍。该芯片将首次配备LPDDR6内存，内存子系统升级显著提升数据吞吐能力。更先进的AI6.5芯片则确定由台积电美国亚利桑那州工厂以2纳米工艺生产，通过持续优化晶体管密度和能效比进一步提升综合性能。
在芯片架构设计层面，特斯拉工程师团队为AI6和AI6.5芯片开发了创新的计算加速方案。两款芯片均将约半数的TRIP AI计算加速器与静态随机存取存储器（SRAM）进行深度整合，这种设计有效缩短了数据传输路径，使芯片在处理大规模人工智能模型时获得更高的有效带宽。技术专家指出，这种异构集成设计对自动驾驶等实时计算场景具有重要价值。
行业观察者注意到，特斯拉在内存规格选择上呈现明确升级路径。从AI5芯片两侧封装的内存颗粒特征判断，其采用的应是LPDDR5X标准内存，这与GDDR系列内存的物理特征存在显著差异。考虑到AI6芯片已确定升级至LPDDR6标准，特斯拉在内存技术迭代上展现出与芯片制程同步推进的战略布局。这种软硬协同的优化策略，或将为智能驾驶系统带来更流畅的数据处理体验。
