ASML公司首席执行官傅恪礼近日宣布，采用新一代高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻技术制造的首批芯片产品，将在未来几个月内正式进入市场。这项技术将同时应用于逻辑芯片和存储芯片两大关键领域，标志着半导体制造工艺向2纳米以下先进制程迈出重要一步。
据介绍，High-NA EUV光刻机通过优化光学系统分辨率，使芯片特征尺寸缩小幅度达到66%，相当于将相机对焦精度提升至全新水平。这项突破性技术被视为突破先进制程物理极限的核心手段，能够显著降低高端芯片的电路光刻成型成本，特别适用于人工智能加速芯片和高带宽内存（HBM）/动态随机存取存储器（DRAM）等高端存储产品的制造需求。
尽管单台设备造价高达4亿美元，约为现有EUV光刻机的两倍，但ASML强调该技术通过规模化应用可逐步摊薄单颗芯片制造成本。作为ASML最大客户，台积电数周前曾公开表示，受限于初期投入成本，暂时不具备大规模采用的条件。不过半导体行业分析指出，随着技术成熟度提升，设备成本分摊效应将逐步显现。
在产业布局方面，英特尔展现出积极姿态。该公司已在俄勒冈州波特兰工厂完成两台High-NA EUV光刻机的安装调试，累计处理晶圆数量突破3万片。根据规划，英特尔将于2027至2028年实现14A制程（相当于1.4纳米）的大规模量产，成为首个将该技术应用于量产的逻辑芯片制造商。
存储芯片领域同样动作频频。韩国SK海力士明确表示，计划在2024年内首次导入High-NA EUV技术，用于下一代DRAM内存的生产。这项技术将助力其开发容量更大、速度更快的存储产品，满足人工智能、数据中心等新兴领域对高性能存储的爆发式需求。
行业观察人士指出，High-NA EUV光刻机的商业化进程，标志着半导体制造进入"超精细加工"时代。虽然初期设备成本高昂，但其在提升芯片性能、降低单位功耗等方面的优势，将推动全球半导体产业向更高制程节点持续突破。随着英特尔、SK海力士等厂商的率先布局，这项技术有望在2025年后形成更广泛的应用生态。
