Rapidus近期宣布，其2纳米GAA测试芯片流片已成功完成，并定下了2027年量产的目标。这家位于日本北海道千岁市的半导体制造商，通过其创新集成制造工厂IIM-1，计划每月生产约25,000片晶圆。
Rapidus强调，其生产流程不仅高效，而且灵活，旨在吸引更多客户。为了展示其技术优势，Rapidus透露，其“2HP”尖端2纳米工艺的逻辑密度达到了237.31 MTr/mm²，这一数字与台积电（TSMC）的N2工艺（236.17 MTr/mm²）不相上下，均属于高密度单元库范畴。
与Rapidus相比，英特尔的Intel 18A工艺在逻辑密度上略显逊色，其密度仅为184.21 MTr/mm²。据业内人士分析，这主要是因为英特尔采用了背面供电技术（BSPDN），该技术占用了前端金属层的一部分空间，从而影响了逻辑密度。英特尔更注重每瓦性能而非原始密度，尤其是在Intel 18A主要用于内部设计芯片的情况下。
尽管Rapidus在量产时间上可能落后于台积电一两个制程节点——台积电预计在今年第四季度量产2纳米工艺——但Rapidus希望通过实现差异化来提升竞争力。为此，该公司提出了完全单晶圆概念，周转时间仅为50天，而传统的批量-单晶圆混合工艺通常需要约120天。对于需要加速生产的特定产品，Rapidus更是承诺在2纳米制程节点上实现15天晶圆交付，这一速度在行业内前所未有。
为了进一步巩固其市场地位，Rapidus计划在2026年第一季度向客户提供2纳米PDK。从目前的情况来看，Rapidus的2纳米芯片项目进展顺利，前景可期。
