近日，我国第三代半导体制造领域传来振奋消息：中国科学院半导体研究所旗下成果转化企业——北京晶飞半导体科技有限公司，在碳化硅晶圆加工技术上实现关键突破。该公司自主研发的激光剥离设备成功完成12英寸碳化硅晶圆剥离，这项成果不仅填补了国内技术空白，更为全球碳化硅产业降本增效开辟了新路径。
据技术团队介绍，12英寸碳化硅晶圆的产业化应用具有显著优势。相较于当前主流的6英寸晶圆，其有效使用面积扩大近4倍，单颗芯片制造成本可降低30%至40%。这一突破直接解决了大尺寸碳化硅晶圆加工的技术瓶颈，为全球产业链提供了关键设备支持。特别值得关注的是，该技术打破了国外厂商在高端加工设备领域的长期垄断，标志着我国在半导体核心装备领域实现自主可控的重要进展。
从产业影响来看，这项技术突破将产生多维度效应。在供给端，设备国产化将显著提升全球碳化硅产能，缓解当前市场供需紧张局面；在应用端，成本下降将加速碳化硅器件在新能源汽车、光伏发电等领域的普及。以新能源汽车为例，碳化硅功率器件可使充电效率提升20%，续航里程增加5%-10%，而制造成本的降低将推动这项技术更快走向大众市场。
业内专家指出，碳化硅作为第三代半导体材料的代表，其产业化进程直接影响着新能源、5G通信等战略新兴产业的发展质量。北京晶飞的技术突破不仅提升了我国在全球半导体产业链中的地位，更为下游企业提供了更具性价比的解决方案。据测算，若全球碳化硅产能全面转向12英寸晶圆，每年可为行业节省超过20亿美元的制造成本。
目前，该技术已进入产业化验证阶段，首批设备即将交付国内主要碳化硅生产企业。随着技术的持续优化，预计未来三年内12英寸碳化硅晶圆的市场占有率将超过30%，推动我国半导体产业向高端制造迈进关键一步。
