IDTechEx最新研究报告显示，2025年将成为电力电子行业的关键转折点。尽管全球纯电动汽车（BEV）销量增速有所放缓，但电动汽车电力电子市场仍将在2036年实现三倍增长，市场规模预计达到420亿美元。这一增长主要得益于插电式混合动力汽车（PHEV）对碳化硅（SiC）功率器件需求的持续攀升，以及氮化镓（GaN）技术在车载充电系统中的突破性应用。
碳化硅功率器件市场正经历结构性变革。虽然Wolfspeed等头部供应商今年营收出现波动，但SiC MOSFET在电动汽车领域的应用反而加速普及。丰田、舍弗勒等企业已公开采用SiC技术的混合动力传动系统方案，证明该器件在部分纯电行驶场景中的经济性优势。成本下降的核心驱动力来自晶圆环节的竞争加剧——两年前仅有Wolfspeed和Coherent具备200毫米晶圆量产能力，而今英飞凌已实现规模化供应，中国厂商更通过产能扩张为本土车企提供稳定供应链支持。据测算，晶圆成本占SiC芯片总成本的比重高达50%，晶圆尺寸升级对降低系统成本具有决定性作用。
氮化镓技术迎来车载应用里程碑。长安汽车即将在2026年推出的启源E07车型中，首次采用纳维达斯供应的GaN器件构建车载充电系统，实现6千瓦/升的功率密度，较行业平均水平提升200%。这项突破不仅验证了氮化镓在400V以上高压系统的可靠性，更为其向牵引逆变器领域渗透奠定基础。目前VisIC、恩智浦等企业正在研发基于GaN的逆变器方案，预计未来十年内将在成本效益方面形成竞争优势。
技术融合趋势催生新型电力电子架构。混合逆变器通过并联硅IGBT与碳化硅/氮化镓器件，在全负载范围内实现性能优化，但需攻克栅极驱动同步和热管理等技术难题。嵌入式功率模块作为另一创新方向，通过将芯片直接集成至PCB基板，可消除引线键合带来的寄生电感，提升系统效率。截至2025年10月，该技术尚未在量产车型中大规模应用，但其对功率密度提升的潜力已引发行业高度关注。
IDTechEx在《2026-2036年电动汽车电力电子：技术、市场与预测》报告中指出，尽管市场面临短期波动，但宽带隙半导体技术的成熟将推动单位功率成本持续下降。预计到2036年，每千瓦电力电子系统的价格将较当前水平降低45%，为电动汽车渗透率进一步提升创造条件。
