联发科近日对外宣布，其基于台积电2纳米制程技术的首款旗舰级系统级芯片（SoC）已顺利完成设计流片，正式跻身全球首批应用该先进制程的企业行列。这款芯片预计将于2026年底启动量产，并同步推向市场。
尽管联发科未在官方声明中透露具体产品型号，但根据其产品路线图推测，这款芯片极有可能归属天玑9系列旗舰阵营，或被命名为天玑9600。作为联发科在高端芯片市场的又一力作，该产品承载着品牌技术突破与市场拓展的双重期待。
台积电2纳米制程的核心优势在于首次引入纳米片（Nanosheet）晶体管结构。这一创新设计通过优化电晶体排列方式，显著提升了芯片的性能表现、能效比以及制造良率，为半导体行业树立了新的技术标杆。
据联发科披露，相较于当前主流的N3E制程，台积电强化版2纳米工艺的逻辑密度提升1.2倍，在同等功耗条件下可实现18%的性能跃升；若保持运行速度不变，功耗则可降低约36%。这一数据直观展现了新一代制程在能效优化领域的突破性进展。
