据韩国科技媒体披露，三星电子正酝酿大规模扩张其高带宽内存（HBM）产能，计划将现有每月约17万片的理论产能提升至25万片，增幅达47%。这一战略调整主要针对下一代HBM4产品，通过改造现有DRAM生产线与在平泽P4晶圆厂新建专用产线双管齐下实现产能跃升。
此前三星在HBM3/HBM3E市场的表现曾陷入困境。由于产品初期性能指标落后于竞争对手，其市场份额在2024年初出现断崖式下跌，导致多条HBM生产线长期处于低负荷运转状态。这种被动局面迫使三星重新审视技术路线，将研发资源向HBM4倾斜。
转机出现在2025年下半年。三星最新研发的HBM3E和HBM4样品在英伟达、博通、AMD三大芯片巨头的测试认证中取得突破性进展。据知情人士透露，三家客户对样品性能表现给予高度评价，特别是HBM4在能效比和带宽密度等关键指标上达到行业领先水平。这些认证成果直接转化为2026年的大额订单，为三星重返HBM市场第一梯队奠定基础。
行业分析师指出，三星此次产能扩张具有双重战略意义：一方面通过技术迭代抢占AI芯片市场先机，另一方面利用现有DRAM产线的改造实现成本优化。平泽P4工厂的新建产线将采用3纳米制程工艺，预计2026年第二季度正式投产，届时三星HBM产品的市场供应能力将得到质的提升。
