据行业研究机构TrendForce集邦咨询最新发布的市场调研报告显示，存储芯片市场正经历新一轮价格波动周期。受AI服务器需求激增的驱动，全球主要DRAM制造商正加速向先进制程迁移产能，并将新增产能优先分配至服务器和HBM（高带宽内存）领域。这一战略调整导致常规DRAM产品供应出现显著缺口，预计2026年第一季度整体合约价格将环比上涨55%至60%。
在NAND Flash市场，头部厂商持续实施产能管控策略，同时服务器客户的强劲采购需求进一步挤压了其他应用领域的供应空间。调研数据显示，受此双重因素影响，各类NAND Flash产品合约价格预计将保持上涨态势，季度涨幅区间为33%至38%。这种价格走势反映出当前存储芯片市场供需结构的深刻变化，特别是AI相关应用对高端存储产品的需求正在重塑行业格局。
行业分析师指出，DRAM原厂的技术升级和产能重组是推动价格走高的核心因素。为满足AI服务器对内存带宽和容量的严苛要求，制造商正将12纳米及以下先进制程产能向HBM和服务器DRAM倾斜，这直接导致面向PC、移动设备等市场的常规DRAM供应锐减。NAND Flash市场则呈现出类似的供需失衡特征，企业级SSD订单的持续涌入使得消费级产品产能受到排挤。
从技术演进角度看，存储芯片行业正进入结构性转型期。HBM作为AI计算的关键组件，其产能扩张速度远未跟上需求增长步伐，而传统DRAM和NAND Flash的产能调整又加剧了市场分化。这种技术迭代与产能重构的叠加效应，预计将在未来两个季度持续推高相关产品价格，为全球存储芯片市场带来新的定价逻辑和竞争格局。
