存储芯片市场正经历一场由人工智能（AI）需求推动的空前涨价潮，传统供需格局被彻底打破。据产业链人士透露，本轮涨势自上半年启动后，进入第四季度非但未现缓和迹象，反而因多重因素叠加呈现加速态势。部分存储原厂已对DRAM和Flash产品线采取暂停报价策略，终端市场价格传导效应显著，小米集团创始人雷军近日公开表示“内存涨价幅度超出预期”。
驱动本轮行情的核心因素在于AI技术爆发引发的结构性供需失衡。摩根士丹利预测，全球科技巨头今年在AI基础设施领域的投入将达4000亿美元，直接带动对高带宽内存（HBM）的旺盛需求。Yole Group数据显示，2025年HBM市场规模预计接近340亿美元，2030年前将保持33%的年复合增长率，届时营收占比将超过DRAM市场半壁江山。由于HBM晶圆消耗量是标准DRAM的三倍以上，存储原厂被迫将产能向高利润产品倾斜，导致DDR4、LPDDR4X等传统制程产品出现“计划性供应收缩”。
价格波动已蔓延至全产业链。CFM闪存市场监测显示，DDR4 16Gb 3200现货价本周飙升至13美元，周涨幅达30%；512Gb Flash Wafer十月累计涨幅超20%。有从业者透露，部分产品已进入“一日一价”状态，DRAM整体价格（含HBM）第四季度预计环比增长13%-18%。这种长期、全面的涨价周期在业内实属罕见，直接推动A股存储概念板块10月24日集体爆发，普冉股份、香农芯创等个股强势涨停。
终端市场成本压力持续传导。Redmi K90系列手机近日上市，部分版本售价较前代上调100-400元。小米集团总裁卢伟冰坦言，存储成本涨幅远超预期且将持续加剧，企业只能通过产品定价向消费者传递部分压力。TrendForce分析师许家源指出，DDR4供应紧张局面至少将持续至2026年上半年，威刚科技董事长更公开表示，第四季度才是存储市场真正缺货的起点。
面对行业变局，国内产业链展开多维应对。模组厂商普遍采取囤货策略，江波龙证券部人士透露，提前储备的存货对毛利率形成正向支撑。但策略分化明显，朗科科技选择“轻库存”模式以降低业绩波动。芯片设计企业则启动价格谈判，普冉股份表示正与下游客户协商涨价事宜。分销领域，香农芯创称虽毛利率保持稳定，但采购成本上涨已推动终端售价同步上调。
国际原厂涨价效应加速向国内晶圆厂转移。某国产存储企业人士透露，海外厂商提价促使部分客户转向国内供应链。在此背景下，国产厂商正加速布局高附加值领域，除扩大企业级SSD供应外，将战略重心转向HBM、先进封装及服务器DDR5等赛道。赛腾股份宣布其HBM检测设备已获海外大客户批量订单，国内市场开拓进行中；中微公司全面布局先进封装领域，涵盖刻蚀、CVD等关键设备；佰维存储的晶圆级先进封测项目进入投产准备，旨在提供“存储+封测”一体化解决方案。
许家源分析认为，尽管2026年HBM3e可能面临供过于求，但技术门槛更高的HBM4仍将保持紧俏态势。这场由AI驱动的行业变革，正在重塑全球存储产业竞争格局。
