存储芯片行业正经历一场由人工智能技术深度渗透引发的剧烈震荡。全球NAND闪存龙头厂商闪迪在最新财报会议中宣布，将于11月起对合约价格实施高达50%的涨幅调整，此举立即引发产业链上下游的连锁反应。公司首席执行官David指出，当前正遭遇由AI应用普及催生的历史性需求高峰，预计到2026年数据中心将取代移动设备成为NAND闪存的最大消费领域，这一转变将重塑整个产业格局。
技术竞赛成为支撑涨价的核心动能。闪迪正加速推进基于BiCS8架构的第四代3D NAND固态硬盘研发，该产品专为AI训练场景设计，具备更高存储密度与能效比。目前相关产品已进入超大规模云服务商的认证阶段。行业数据显示，主流厂商的3D NAND堆叠层数已突破300层大关，部分实验室原型机更达到500层水平，业内预测到2030年将实现1000层堆叠的突破性进展。这种技术跃迁直接推高了生产成本，成为价格上调的重要依据。
供应链震动迅速传导至终端市场。创见、宜鼎国际、宇瞻科技等存储模组厂商集体采取防御性策略，创见自11月7日起全面暂停报价与出货，其官方声明中"市场行情将持续向好"的表述，暗示后续价格存在进一步攀升空间。这种集体停供行为反映出下游企业对成本传导能力的担忧，部分中小型模组厂已开始寻求替代供应商或调整产品组合。
结构性供需失衡构成涨价的根本逻辑。AI数据中心建设浪潮与上游晶圆产能扩张滞后形成鲜明对比，这种矛盾在DRAM市场已率先显现——三星电子十月暂停DDR5合约报价后，SK海力士、美光等巨头迅速跟进，导致内存价格三个月内涨幅超40%。创见董事长束崇万用"36年未遇的盛况"形容当前态势，他特别指出，在DRAM完成首轮价格修复后，NAND市场的涨价周期才刚刚启动，AI算力集群对存储容量的指数级需求将成为长期支撑因素。
市场分析师观察到，本轮涨价呈现明显的技术分层特征。企业级SSD产品因直接服务于AI训练集群，价格弹性空间最大；消费级市场则因智能手机、PC需求疲软，厂商涨价策略更为谨慎。这种分化态势迫使存储原厂重新评估产能分配，部分厂商已将20%以上的晶圆产能转向数据中心专用产品，这种结构性调整可能在未来两年内持续影响市场供应格局。
