第二十六届中国国际光电博览会（CIOE 2025）在深圳国际会展中心（宝安新馆）圆满落幕。作为全球光电领域最具影响力的综合性展会之一，本届博览会吸引了来自40余个国家和地区的近4000家企业参展，覆盖信息通信、精密光学、激光技术及智能制造等核心产业板块。
青禾晶元在本届展会上重点展示了面向光电集成领域的先进键合工艺与系统解决方案。通过实物演示与技术白皮书，企业向全球专业观众呈现了针对高功率激光器散热、硅光芯片集成、共封装光学（CPO）等场景的定制化技术，其中超高真空室温键合技术因能显著降低界面热阻而备受关注。
展会期间，青禾晶元技术团队与来自英特尔、台积电等企业的技术专家及中科院、清华大学的科研人员展开多场深度交流。在光电集成材料研讨会现场，企业研发人员通过三维动画演示了混合键合工艺实现±100nm级互联精度的技术原理，该方案已通过某头部数据中心的光模块验证测试。
在高性能光电子集成芯片前沿技术论坛上，集团副总经理刘福超系统分析了键合材料界面应力控制、异质材料热膨胀系数匹配等产业痛点。他提出的"梯度过渡层设计"方案，结合企业自主研发的等离子体活化键合设备，可将硅基与氮化镓材料的键合强度提升至15J/m²以上，该数据引发与会者热烈讨论。
集团副总经理郭超博士在SEMI-e技术研讨会上，首次公开了企业在3D异构集成领域的突破性进展。其团队开发的低温临时键合技术，可将12英寸晶圆减薄至50μm以下时良率提升至99.2%，该工艺已在某先进制程芯片封装线完成量产验证。现场展示的键合界面显微照片显示，采用特殊亲水性涂层处理的晶圆接触角可控制在5°以内。
技术展区吸引了大批专业观众驻足，某欧洲光通信企业技术总监在体验实时键合强度检测系统后表示："这种非破坏性检测方案能将产品开发周期缩短40%，我们正在评估其应用于800G光模块生产的可行性。"据统计，三天展期内青禾晶元共接待技术咨询327批次，达成初步合作意向46项。
针对光电集成产业的技术演进趋势，企业同步发布了《异质集成白皮书》，提出"材料-工艺-装备"三位一体的发展路径。书中披露的研发路线图显示，2026年将推出支持20层堆叠的混合键合设备，2027年实现玻璃通孔（TGV）与硅转接板的低温键合工艺量产。
